晶圆刻蚀完成后表面残留光刻胶，湿法剥离容易损伤低k介质，等离子体灰化成为主流后道去胶工艺。5N高纯氧气在辉光放电中分解为氧自由基，把胶膜氧化为挥发性气体。文章给出灰化温度区间、纯度指标和腔体维护要点。...
