CO2作为物理发泡剂替代氟利昂和丁烷，用于PLA和PBAT可降解塑料挤出发泡，5N高纯CO2保证泡孔均匀细密，食品接触级产品对杂质有明确要求。
超临界二氧化碳替代传统溶剂剥离光刻胶，表面张力近乎为零，能钻进高深宽比结构，5N高纯CO2配合共溶剂避免对芯片金属线的损伤。
铌钛超导合金对间隙杂质极敏感，电子束熔炼铸锭出炉后必须在高纯氩保护下脱模冷却，氮氧含量超标会直接破坏超导临界电流密度。
钛合金在激光熔池里活性极高，LENS成形必须在5N高纯氩惰性气帘下进行，氧含量超过几十ppm就会让零件脆化，气帘设计和流量控制是关键。
光刻胶对水汽极度敏感，冷藏间回温和涂布机喷嘴都需要露点负四十摄氏度以下的干燥氮气做屏障，防止胶液吸水析出颗粒影响线宽。
SiC外延生长在一千六百摄氏度以上进行，高纯氮气既做硅源和碳源的载气，又做炉膛保护气，氧和水分含量直接决定外延层掺杂浓度和结晶质量。
MEMS加速度计的敏感结构靠热氧化层定义，氧化层厚度均匀性和残余应力直接影响零点漂移，5N高纯氧配合干氧湿氧工艺才能把片子做到微米级。
SiC功率器件栅氧热氧化温度超过一千一百五十度，氧源纯度直接决定界面态密度和击穿电场，5N高纯氧是量产起步线，管路纯化与换瓶吹扫各有讲究。
