SiC功率器件进入量产线后，栅氧热氧化这一步最先卡住良率。SiC的带隙宽，热氧化温度要推到一千一百五十摄氏度以上，比硅片高出两百度。这么高的温度下，氧源里哪怕几个ppm的杂质，都会在碳化硅和二氧化硅的界面上留下陷阱电荷，直接拉低沟道迁移率。
5N高纯氧指的是纯度百分之九十九点九九九，水分和碳氢化合物各自压在1ppm以下。这个等级是SiC栅氧工艺的起步线，没法靠放宽指标凑合用。实际产线里，氧化炉进气端还要加一级纯化器，把管路残留的水汽再降到0.1ppm量级。炉子进气流量通常设在每分钟两到三升，根据石英管口径微调，流量过大会把温区吹乱，过小则氧化速率不均匀。
栅氧生长用干氧加湿氧两步走。先通干氧一小时左右长界面层，再通入少量氢气燃烧生成水汽做湿氧增厚，最后回干氧退火。整个过程氧源压力稳定在零点一兆帕，尾气经过烧嘴排空。湿氧阶段的水汽靠氢氧燃烧原位生成，不直接通液态水，这样带入的钠钾金属离子最少。氢源也要用5N以上的纯氢，和氧气纯度等级匹配。
界面态密度是检验氧化质量的核心指标。同一炉SiC片，氧源纯度从4.8N掉到4.5N，界面态密度可能从1e11量级升到1e12，栅氧击穿电场跟着往下掉。产线监控一般每周做一次C-V测试，发现曲线滞后变大就查氧源纯度和纯化器滤芯。纯化器超过六个月不换，出口露点会逐步漂移，这个时间点要记在维护台账上。
氧化之后还有一道一氧化氮退火，业内叫NO退火。退火炉通一氧化氮和氧气的混合气，温度一千一百七十摄氏度，把界面上的碳悬挂键用氮饱和掉。这一步氧气纯度同样要5N，NO气体本身也要电子级。退火时间三十到六十分钟，时间太短界面态压不下去，太长会让栅氧厚度飘。退火后再做一次氢氮混合气体低温钝化，把界面态密度稳定在1e11以下。
钢瓶切换是最容易出波动的环节。新瓶接上管路后，先抽真空再吹扫三次，每次用高纯氧冲洗管路五分钟。瓶内压力用到零点二兆帕以下就该换瓶，不要把瓶底抽空，瓶底沉积的杂质会被气流带进炉管。减压阀要用铜膜面或不锈钢膜面，不用普通橡胶垫片，橡胶析出的碳氢化合物在高温下会污染氧化层。
选型时除了纯度等级，还要看氧源的颗粒度控制。瓶装高纯氧出厂时带100级颗粒过滤，到厂之后二级过滤不能省。SiC产线对金属离子沾污敏感，氧气里的铁镍哪怕在ppb级别，高温下也会扩散进二氧化硅。建议每批氧瓶附带COA报告，重点核对水分、总碳氢、氧中氢三项指标。国产5N氧和进口5N氧在核心指标上差距已经不大，但瓶阀密封性和内表面处理工艺还有差别，频繁换瓶的工位优先选内抛光钢瓶。
量产爬坡阶段容易出现一个误区，看到栅氧良率稳定就放松对氧源批次的抽检。实际上每一批瓶气的瓶阀状态都有差异，建议连续跟踪三个月的C-V数据，把数据按瓶气批次分组，哪一批次漂移明显就把该批次整批退回。氧源供应商的质量管理体系比单次纯度数字更值得考察，能稳定供货两年以上不出现批次波动，才是合格的长期供方。
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