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SiC功率器件
5N高纯氧 SiC功率器件栅氧热氧化的氧源纯度门槛
SiC功率器件栅氧热氧化温度超过一千一百五十度，氧源纯度直接决定界面态密度和击穿电场，5N高纯氧是量产起步线，管路纯化与换瓶吹扫各有讲究。...
2026-09-24
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