半导体工艺 - 高纯气体

欢迎访问我的网站

超临界CO2为什么能清洗晶圆

超临界二氧化碳在31.1摄氏度7.38MPa以上兼具气体渗透性和液体溶解力，可深入高深宽比结构去除光刻胶和颗粒，工艺温度35至60摄氏度压力10至20MPa，无水印无化学残留。...

2026-09-08 1785