硅片与碳化硅氮化镓晶圆在800至1200度高温退火时用5N氩气防止表面氧化。氩中氧含量需低于1ppm，杂质超标导致表面氧化层失控与器件电学性能漂移，本文梳理RTP与炉管退火保护、监控片验证与供气要点，...
