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第三代半导体GaN/SiC产线用气方案设计
第三代半导体GaN/SiC产线用气方案涵盖大宗气体现场制气纯化与特气柜VMB管路系统。GaN MOCVD用氮氢载气加氨氮源,SiC高温氧化退火需超高纯氧氮,纯度5N以上压力0.5到0.8MPa。...
2026-09-10
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