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  • 5N高纯CO2 超临界流把石墨烯片一层层撕开

    超临界CO2渗透层状材料层间,快速泄压产生剪切力剥离二维材料。5N高纯CO2水分要求低于5ppm,油分未检出,无溶剂残留。文章给出剥离参数窗口、材料去向和量产放大要点。...

    2026-09-10 1586
  • 5N高纯氩 铜箔上长石墨烯靠氩气稳住炉温

    石墨烯CVD生长以铜箔为催化基底,1000摄氏度退火阶段需惰性气氛。5N高纯氩气置换残余空气并维持高温惰性环境,氧含量要求低于1ppm。文章给出生长参数、转移气氛和选型要点。...

    2026-09-10 827