氧化镓是第四代超宽禁带半导体，单晶生长在1500到1800摄氏度下进行，必须维持氧化气氛防止熔体失氧。5N高纯氧气氧分压控制在0.1到1个大气压，纯度影响位错密度和光学透过率，文末给出钢瓶加终端纯化与...
