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  • 5N高纯氩 铜箔上长石墨烯靠氩气稳住炉温

    石墨烯CVD生长以铜箔为催化基底,1000摄氏度退火阶段需惰性气氛。5N高纯氩气置换残余空气并维持高温惰性环境,氧含量要求低于1ppm。文章给出生长参数、转移气氛和选型要点。...

    2026-09-10 827