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气体知识 技术答疑

高纯二氧化碳:半导体制造环节里藏着的关键“隐形助剂”

2026-08-17 939

在当前全球半导体产业向精细化、高可靠性方向迭代的进程中,工业特种气体的配套能力已经成为衡量晶圆制造产能成熟度的核心指标之一,高纯二氧化碳作为长期被归类为通用品类的工业气体产品,其在12英寸及以上先进制程晶圆制造环节的不可替代性,正在被越来越多的头部代工企业纳入供应链优先级评估范畴。

不同于常规工业场景中用于焊接保护、食品保鲜的普通级二氧化碳,半导体制造端所用的高纯二氧化碳要求杂质总含量控制在ppb级别,其中对器件性能存在直接影响的烃类、水分、金属离子杂质阈值更是被严格限定在10ppb以内,这一指标要求意味着传统的工业副产提纯工艺无法直接匹配,需要经过多次精馏、吸附脱除、膜分离耦合以及在线实时杂质监测的全链路管控,才能满足14nm及以下制程晶圆厂的入场检验标准。

从具体应用场景来看,高纯二氧化碳当前在半导体制造环节的核心作用集中在三个核心工序段,首先是晶圆制造过程中的干法刻蚀环节,作为含氟刻蚀气体的稀释载体,高纯二氧化碳能够精准调控刻蚀反应腔体内的等离子体密度,避免单一刻蚀气体浓度过高导致的栅极刻蚀过度问题,同时其在反应过程中生成的微量碳基保护层,可有效降低刻蚀侧壁的粗糙度,对于7nm及以下制程中FinFET结构的刻蚀精度控制有着不可替代的作用。其次是在晶圆清洗工序中,高纯度的二氧化碳可通过溶解生成弱酸体系,替代部分传统酸性清洗剂,在去除晶圆表面残留有机物颗粒的同时,不会对晶圆表面的栅氧化层造成过度腐蚀,同时能够大幅降低清洗环节的纯水消耗量,符合当前头部晶圆厂正在推进的绿色制造降本要求。除此之外,高纯二氧化碳还被广泛应用于晶圆封装环节的真空腔体制备过程,作为预填充置换气体,能够有效排出腔体内部残留的微量水汽及杂质气体,避免封装后器件内部出现空洞缺陷,提升终端芯片的长期运行可靠性。

从国内产业配套的现状来看,过去较长一段时间内,国内晶圆厂所需的电子级高纯二氧化碳主要依赖海外气体厂商供应,核心痛点集中在提纯稳定性及批次一致性难以保障,部分海外厂商的供应周期受国际物流及地缘因素影响波动较大,直接影响晶圆厂的连续生产计划。随着近三年国内特种气体厂商在提纯工艺及在线检测技术上的技术突破,当前国内已经有多家企业能够稳定供应符合半导体SEMI标准的 Grade 5级以上高纯二氧化碳产品,部分头部厂商的产品已经进入多家国内12英寸晶圆厂的合格供应商名录,供应占比正在逐年提升。值得注意的是,不同于其他电子特种气体的技术壁垒集中在合成环节,高纯二氧化碳的核心壁垒在于全流程的杂质管控,从原料气源的筛选、生产环节的密闭防护到最终的钢瓶充装及出厂检测,任何一个环节的管控疏漏都可能导致杂质含量超标,进而造成晶圆制造环节的批量良率损失,这也使得下游晶圆厂在选择供应商时,会将供应商的连续稳定供货记录作为核心评估指标。

结合当前国内半导体产业的扩产节奏来看,仅2025年国内已进入量产及建设阶段的12英寸晶圆厂设计总产能已经超过每月120万片,按照单万片产能对应高纯二氧化碳月消耗量约1.2吨的行业平均测算值,仅先进制程晶圆制造领域的年市场需求规模已经接近2000吨,而随着后续功率半导体、第三代半导体器件制造环节对制程精度要求的持续提升,高纯二氧化碳的应用场景还将进一步向功率器件制造的掺杂、退火等环节延伸,整体市场的需求增速将持续高于普通工业气体品类的平均增速。同时需要注意的是,下游客户对高纯二氧化碳的供应要求早已不再局限于产品本身的纯度指标,能够实现现场供气、全链路杂质实时监测、响应时效在4小时以内的本地化气体服务商,将获得更多的市场份额倾斜,这也对国内相关气体厂商的区域服务网络布局能力提出了更高的要求。

当前行业内普遍存在的认知误区是将高纯二氧化碳归类为低附加值的通用工业气体品类,忽略其在先进制造环节的工艺适配价值,实际上随着下游半导体制造制程的持续迭代,对气体杂质的管控阈值还将进一步收窄,能够提前匹配下游新工艺要求的气体供应商,将在长期的供应链合作中占据更主动的位置。对于国内工业气体行业参与者而言,当前需要重点关注的并非盲目扩产能,而是围绕半导体制造场景的具体工艺需求,优化全流程的杂质管控体系,积累稳定批次供应的市场验证记录,才能真正切入高端制造供应链的核心配套体系,避免陷入低端价格竞争的行业困局。

纽瑞德气体是专业特种气体服务商,主营高纯稀有气体、电子特气、标准混合气、同位素气体,包含氦气、氖气、氙气、六氟化硫等,纯度可达 5N 以上。配备专业检测设备,支持定制配气,可提供充装、危化品配送与技术支持。产品服务半导体、电力、光纤、航天科研等行业,为高端制造提供可靠特种气体配套。致电:17764012828

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