超临界二氧化碳替代传统溶剂剥离光刻胶，表面张力近乎为零，能钻进高深宽比结构，5N高纯CO2配合共溶剂避免对芯片金属线的损伤。...

光刻胶对水汽极度敏感，冷藏间回温和涂布机喷嘴都需要露点负四十摄氏度以下的干燥氮气做屏障，防止胶液吸水析出颗粒影响线宽。...

5N高纯氧气在晶圆光刻胶灰化和descum工艺中的作用，氧等离子体温度窗口、残留碳控制及水分杂质对灰化均匀性的影响。...

晶圆刻蚀完成后表面残留光刻胶，湿法剥离容易损伤低k介质，等离子体灰化成为主流后道去胶工艺。5N高纯氧气在辉光放电中分解为氧自由基，把胶膜氧化为挥发性气体。文章给出灰化温度区间、纯度指标和腔体维护要点。...

超临界二氧化碳在31.1摄氏度7.38MPa以上兼具气体渗透性和液体溶解力，可深入高深宽比结构去除光刻胶和颗粒，工艺温度35至60摄氏度压力10至20MPa，无水印无化学残留。...