第三代半导体GaN外延片采用MOCVD生长，5N高纯氮同时承担载气和保护气双重角色。本文详解生长温度区间、氮气携带MO源的流量控制、氧氮杂质导致的施主掺杂和LED效率下降机理，以及现场制氮纯化方案与氢...

第三代半导体GaN/SiC产线用气方案涵盖大宗气体现场制气纯化与特气柜VMB管路系统。GaN MOCVD用氮氢载气加氨氮源，SiC高温氧化退火需超高纯氧氮，纯度5N以上压力0.5到0.8MPa。...