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SiC外延
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SiC外延
5N高纯氮 SiC外延生长炉的载气与保护气氛
SiC外延生长在一千六百摄氏度以上进行，高纯氮气既做硅源和碳源的载气，又做炉膛保护气，氧和水分含量直接决定外延层掺杂浓度和结晶质量。...
2026-09-24
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