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  3. SiC热氧化

  • 5N-6N高纯氧 SiC氧化层生长的关键参数

    SiC功率器件热氧化温度1200到1400摄氏度，氧化速率慢对氧气纯度要求严苛，5N用于一般器件6N用于车规级，H2O和CO以及THC杂质影响界面态密度和击穿电压，干氧氧化配合NO退火钝化界面。...

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