SiC功率器件的热氧化工艺线，炉温通常挂在1250到1350摄氏度之间。这个温度比传统硅工艺的干氧氧化高出约400度，氧化速率却只有硅的几十分之一。一炉6英寸SiC晶圆跑下来，十几个小时才能长出几十纳米的SiO2栅氧层。工艺时间被拉长意味着氧气和晶圆表面的接触窗口被放大，气体里哪怕痕量的杂质都有足够机会参与界面反应。这也是SiC氧化对氧气纯度要求比硅工艺更苛刻的直接原因。SiC的硅面和碳面氧化速率还不一样，碳面的氧化速率大约是硅面的两到三倍，实际生产中通常用硅面做栅氧面来获得更均匀的氧化层。
氧气中的水分会在高温下加速SiC表面粗糙化，一氧化碳和总碳氢化合物则直接拉高界面态密度。车规级SiC MOSFET对界面态密度Dit的控制目标通常在1e11 cm-2eV-1量级，普通工业氧4N5的纯度远远不够。5N高纯氧能满足一般SiC器件的栅氧生长，6N也就是99.9999%的电子级氧用于车规和高可靠性场景，两者在采购端的价差需要结合器件等级和良率目标来权衡。部分8英寸SiC产线已经把栅氧气源统一锁定在6N，减少换瓶带来的纯度波动。氧气中的甲烷等烃类杂质在1200度以上会裂解生成碳颗粒，沉积在氧化层中造成局部击穿电压下降，这也是THC指标需要单独管控的原因。
干氧氧化生长的SiO2层致密度高、界面质量好，但速率慢。湿氧氧化速率快三到五倍，氧化层质地偏软，通常用于厚场氧或牺牲氧化层。SiC的栅氧几乎都走干氧路线，对氧气露点的要求在零下70摄氏度以下。有些产线会在干氧中掺入微量HCl来钝化金属离子，但HCl的引入对气路材质和尾气处理有额外要求，普通316L管路需要升级为内衬PTFE或哈氏合金。HCl的流量通常控制在氧气总流量的百分之一到三之间，过量会导致表面腐蚀坑。
供气方式上，月用量超过两万立方米的产线倾向于现场制氧加末端纯化，PSA或VPSA制氧后接催化脱氧和分子筛干燥，终端纯度可以稳定在5N到6N之间。中小批量研发线用钢瓶或管束车更灵活，6N钢瓶氧的单瓶成本高但不需要设备投资。不管哪种方式，从气源到炉口的管路都要用EP级不锈钢，阀门选隔膜阀，避免死体积造成的杂质滞留。换瓶时的吹扫流程也直接影响炉口实际纯度，建议用三倍管路体积的高纯气置换，吹扫时间不少于十五分钟。有些产线在炉口前再加一级终端纯化器，把残余的H2O和CO再压一个数量级。
氧化完成后还有一道关键工序，NO或N2O气氛退火。这一步在1100到1250摄氏度下进行，氮原子掺入SiC和SiO2的界面，把Dit再压下去一个数量级。退火用的NO或N2O同样需要高纯等级，通常4N5起步。整个氧化加退火的气体链路里，任何一个环节的纯度掉档，前面的工艺控制都会打折扣。采购高纯氧时建议要求供方提供批次检测报告，重点核对H2O和CO以及THC三项指标，而不是只看总纯度一个数字。钢瓶到货后最好用便携式氧分析仪在瓶口做一次快检，确认运输过程中没有因阀门微漏导致纯度下降。长期不用的钢瓶在使用前也要重新检测，存放半年以上的高纯气瓶纯度可能因瓶壁吸附气体释放而下降。
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