一根头发丝粗细的光纤里，光信号每秒能跑过几十公里。支撑这种传输能力的，是光纤芯层和包层之间精确到千分之一的折射率差，而这个差值从预制棒沉积的那一刻就开始塑造了。预制棒的质量直接决定了光纤的损耗、带宽和机械强度，沉积工艺中的每一路气体参数都不能马虎。
气相轴向沉积法简称VAD，是制造光纤预制棒芯层的核心工艺。喷灯同时喷出四氯化硅和氧气，在氢氧火焰中发生水解反应生成二氧化硅颗粒，这些颗粒堆积在旋转的靶棒端面，逐层向上生长形成芯棒。VAD混合气体总流量控制在19000到21000毫升每分钟，沉积速率约12克每分钟，最终芯棒直径在40到80毫米之间。沉积过程中靶棒一边旋转一边上升，保证圆周方向和轴向的均匀性。
外气相沉积法简称OVD，多用于包层沉积。喷灯沿预制棒轴向来回移动，把二氧化硅颗粒沉积在芯棒外表面，一层一层堆出包层。OVD喷灯的氧气流量在15到25升每分钟，甲烷或氢气流量在30到40升每分钟。内包层喷灯的典型配比是四氯化硅10升每分钟、氧气18升每分钟、氢气27升每分钟、氩气2升每分钟。不同位置的喷灯参数不同，芯层和包层的掺杂浓度也不同，这样才能形成所需的折射率分布。
氢气和氧气的比例直接影响火焰温度和颗粒生成效率。典型的氢氧比约为1.3比1，这个比例下火焰温度稳定在二氧化硅生成的最佳区间。比例偏高会让火焰温度过高，颗粒烧结过度导致沉积密度上升，疏松体变得过硬；偏低则反应不完全，四氯化硅原料利用率下降，生产成本上升。实际生产中氢氧比需要根据喷灯结构和沉积位置微调。
沉积出来的预制棒还是疏松的多孔体，行业里叫soot棒。soot疏松体的密度需要精确控制在0.27到0.29克每立方厘米之间。密度太低，后续烧结时棒体容易开裂变形；密度太高，脱水和掺杂气体难以渗透到内部，芯层掺杂不均匀。脱水工序在1150正负50摄氏度下进行，用氯气和氦气的混合气体置换棒体中的水分，把羟基含量压到极低水平，这一步直接决定了光纤在1380纳米波长的损耗指标。
氧气的纯度和流量波动会传导到折射率分布上。氧气流量不稳，二氧化硅颗粒的生成速率就跟着变，沉积密度出现波动，芯包层的折射率差Δn随之偏移，最终影响光纤的模场直径和截止波长。氧气中的水分和烃类杂质更麻烦，它们在高温下引入羟基，形成1380纳米附近的OH吸收峰，直接增加光纤的传输损耗。5N纯度的氧气把这些杂质控制在十亿分之一级别，是低损耗光纤的基本保障。
预制棒烧结完成后进入拉丝环节。光纤拉丝塔中，石墨炉把预制棒加热到2000摄氏度以上拉成细丝，氧气参与石墨炉的气氛控制，防止石墨发热元件在高温下氧化消耗，延长炉体寿命。涂覆固化阶段也需要洁净的气体环境，保证丙烯酸酯涂层和光纤玻璃紧密结合，没有气泡和分层。拉丝塔的张力控制和冷却气氛也会影响光纤的几何尺寸和强度。
日常维护里喷灯堵塞是常见故障。四氯化硅在喷口附近残留会逐渐结垢，导致气流偏斜和沉积不均，需要定期用专用溶剂清理喷口。气体配比靠质量流量控制器精确调节，每一路气体都要独立校准，校准周期按使用频率确定。沉积室内维持微负压，防止未反应的四氯化硅和氯化氢外泄腐蚀设备和管道。尾气要经过碱液洗涤处理后才能排放，避免污染环境。
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