SiC外延生长在一千六百摄氏度以上进行，高纯氮气既做硅源和碳源的载气，又做炉膛保护气，氧和水分含量直接决定外延层掺杂浓度和结晶质量。...
SiC功率器件栅氧热氧化温度超过一千一百五十度，氧源纯度直接决定界面态密度和击穿电场，5N高纯氧是量产起步线，管路纯化与换瓶吹扫各有讲究。...
SiC和GaN晶圆器件产线气体采购分大宗气和电子特气两条线，大宗氮气氧气氩气氢气氦气走现场制气管道直供，硅烷氨气一氧化二氮磷化氢等特气钢瓶供应，纯度五个九到六个九。附分级采购方案、应急储备和连续供气保...
第三代半导体GaN/SiC产线用气方案涵盖大宗气体现场制气纯化与特气柜VMB管路系统。GaN MOCVD用氮氢载气加氨氮源，SiC高温氧化退火需超高纯氧氮，纯度5N以上压力0.5到0.8MPa。...
SiC功率器件热氧化温度1200到1400摄氏度，氧化速率慢对氧气纯度要求严苛，5N用于一般器件6N用于车规级，H2O和CO以及THC杂质影响界面态密度和击穿电压，干氧氧化配合NO退火钝化界面。...