蛋白药和疫苗灌装封盖前要往瓶内充氮置换顶空气氧，把残氧压到两个百分点以下，防止活性成分氧化失活。本文讲充氮流量、露点要求、轧盖前在线氧探头监测与胶塞水分的配合。
环氧树脂碳纤维预浸料固化时表面会受氧抑制发黏，5N高纯氮置换热压罐内空气，把残氧压到五十ppm以下，保证表面完全固化。本文讲吹扫流程与残氧监测。
混合键合与等离子激活直接键合前，晶圆表面残留水汽会在界面形成气泡与空洞。5N高纯氮露点低于零下七十度，用于对准前吹扫置换，本文讲流量露点与界面缺陷控制。
光纤拉丝炉2000摄氏度熔融段需惰性气氛保护，紫外涂层固化炉氧含量须压至极低。5N高纯氮气同时守护玻璃纯度和涂层固化质量，露点要求零下60℃以下。文章给出拉丝线供气方案和操作细节。
SLM打印舱内氧含量需控制在0.1%以下，钛合金等活性金属要求0.05%更低。高纯氮气置换空气并维持微正压，防止金属粉末氧化产生气孔和夹杂。文章给出置换流程、材料差异和供气备份方案。
HJT电池非晶硅钝化层仅几纳米厚，低温工艺无法自愈界面缺陷。高纯氮气贯穿清洗、PECVD沉积和溅射各环节，露点-40℃对应水分120ppm。文章给出产线氮气用量、纯化方案和效率关联分析。
超导量子比特采用铝氧化铝铝约瑟夫森结，制备涉及薄膜沉积光刻刻蚀和封装。5N高纯氮气用于刻蚀后腔体吹扫沉积保护气和封装惰性保护，封装在水氧1ppm以下的氮气手套箱中进行。文章给出钢瓶加终端纯化器的小用量高纯供气方案和T1寿命管控要点。
MEMS传感器制造中5N高纯氮的完整应用解析，覆盖DRIE刻蚀后腔体吹扫、LPCVD沉积保护与晶圆级封装惰性气氛，附露点要求与供气方案选型。
第三代半导体GaN外延片采用MOCVD生长，5N高纯氮同时承担载气和保护气双重角色。本文详解生长温度区间、氮气携带MO源的流量控制、氧氮杂质导致的施主掺杂和LED效率下降机理，以及现场制氮纯化方案与氢氮混合安全控制要点。
硫化物固态电解质遇水生成硫化氢，制备全程需露点零下60摄氏度以下5N高纯氮保护，氧化物烧结防锂挥发，聚合物浇铸和锂负极处理需水氧小于1ppm，GWh产线月耗氮三万到五万立方米。
